掺铁钛酸锶Fe:SrTiO3晶体基片
掺铁钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构。目前我们可以提供掺铁浓度为:0.05%,0.04%的Fe:SrTiO3单晶基片。
主要性能参数 |
|
晶系 |
立方晶系 |
生长方法 |
火焰法 |
晶格常数 |
a=3.905Å |
掺铁浓度(Fe%) |
0.005%,0.04% |
熔点(℃) |
2080 |
密度 |
5.122(g/cm3) |
硬度 |
6-6.5(mohs) |
热膨胀系数(/℃) |
9.4×10-6 |
介电常数 |
ε=5.20 |
化学稳定性 |
在水中不溶解 |
热膨胀系数 |
10.4×10-6/k |
正切损耗 |
~5×10-4(300k) ~3×10-4(77k) |
尺寸 |
10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm、20×15mm 可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片 |
厚度 |
0.5mm、1.0mm |
尺寸公差 |
<±0.1mm |
厚度公差 |
<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm) |
抛光 |
单面或双面 |
晶面定向精度 |
±0.5° |
边缘定向精度 |
2°(特殊要求可达到1°以内) |
产品目录:
CVD TMDC晶体: >10平方毫米
AgTaS3晶体 >25平方毫米
Ag3Sb晶体 >50平方毫米
Ag2Te晶体 >25平方毫米
Bi4Pb7Se13晶体 >10平方毫米
Cu2Se3晶体 >25平方毫米
AgInP2S6晶体 >50平方毫米
AgInP2Se6晶体 >25平方毫米
Cr2S3晶体 >25平方毫米
CrTe2晶体 >10平方毫米
CuBi3PbS6晶体 >25平方毫米
CuInP2Se6晶体 >50平方毫米
CuInS2晶体 >25平方毫米
GaGeTe晶体 >25平方毫米
GaPS4晶体 >10平方毫米
GeBi2Te4晶体 >25平方毫米
GeBi4Te7晶体 >25平方毫米
GeSb4Te7晶体 >50平方毫米
GeTe晶体 >10平方毫米
HfS3晶体 >50平方毫米
HgPSe3晶体 (单层和多层 )厚度可定制
In2GaBi2S6晶体 >25平方毫米
In2P3S9晶体 >10平方毫米
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小编:wyf 03.23