产品名称：机械剥离氧化硅/硅基底二硫化钨，CAS:7440-33-7
中文名： 机械剥离氧化硅/硅基底二硫化钨
英文名： Mechanically Exfoliated Tungsten Disulfide (WS₂) on Si/SiO₂ Substrate
一、基本描述
机械剥离氧化硅/硅基底二硫化钨是一种二维过渡金属二硫化物（TMDs），通过机械剥离法从高纯WS₂晶体获取单层或少层纳米片，并将其转移至Si/SiO₂基底。该材料具有优良的半导体特性、光学性能和二维层状结构优势。Si/SiO₂基底广泛用于场效应晶体管、光电器件及二维材料基础物性研究，是二维TMDs器件制备和性能测试的标准平台。
二、物理化学性质、结构特性及应用
WS₂纳米片呈黑色薄片状，单层厚度约0.7 nm，晶体为六方2H相，层间距约0.62 nm。物理性质包括带隙约1.3–1.9 eV（单层为直接带隙）、高电子迁移率和优良光吸收性能。化学性质上相对稳定，但在强氧化或高温环境下易氧化。应用方面，机械剥离WS₂在Si/SiO₂基底上可用于场效应晶体管、光电探测器、光催化及柔性电子器件研究。基底提供均匀界面，有利于光学表征、电子器件制备及高精度物性测量。
三、合成路线
机械剥离WS₂在Si/SiO₂基底上通常采用胶带或聚合物（如PDMS）辅助剥离法。将高纯WS₂晶体与Si/SiO₂基底接触，通过轻微压力或剪切剥离单层或少层片层。剥离后，通过退火或溶剂清洗去除辅助材料，获得高结晶度、低缺陷WS₂纳米片。此方法保证纳米片完整性和平整度，适用于二维电子器件、光电器件和基础物性研究。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
温馨提醒：产品仅供科研，不能用于人体实验!

关于我们：
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