产品名称：机械剥离氧化硅/硅基底二硒化钼，CAS:1317-33-5
中文名： 机械剥离氧化硅/硅基底二硒化钼
英文名： Mechanically Exfoliated Molybdenum Diselenide (MoSe₂) on Si/SiO₂ Substrate
一、基本描述
机械剥离氧化硅/硅基底二硒化钼是一种二维半导体材料，通过机械方法从高纯MoSe₂晶体剥离单层或少层纳米片，并将其转移至Si/SiO₂基底形成均匀薄层。MoSe₂属于过渡金属二硒化物（TMDs），具有层状晶体结构和可调带隙特性。Si/SiO₂基底提供平整表面和良好绝缘性能，适用于光电子器件、场效应晶体管、光探测器及二维材料基础研究。
二、物理化学性质、结构特性及应用
MoSe₂纳米片呈深灰色或黑色薄片状，单层厚度约0.7 nm，晶体为六方2H相，层间距约0.65 nm。物理性质包括带隙约1.1–1.6 eV（单层为直接带隙）、载流子迁移率高、光学吸收强。化学性质上对空气相对稳定，但高温或强氧化环境下易被氧化。应用方面，可用于场效应晶体管、光电探测器、光伏器件、光催化及柔性电子器件。Si/SiO₂基底保证纳米片平整、均匀，适合高精度器件加工和光电性能测试。
三、合成路线
机械剥离MoSe₂采用胶带或聚合物（如PDMS）辅助剥离法。将高纯MoSe₂晶体贴附于Si/SiO₂基底，通过轻微机械剪切或剥离，将单层或少层片层转移到基底表面。剥离后，通过退火或溶剂清洗去除辅助材料，获得高结晶度、低缺陷MoSe₂纳米片，用于器件制备和物性研究。

厂家：西安齐岳生物科技有限公司
用途：科研
温馨提醒：产品仅供科研，不能用于人体实验!

关于我们：
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