机械剥离氧化硅/硅基底二硒化钨是一种二维过渡金属二硒化物(TMDs),通过机械剥离高纯WSe₂晶体获得单层或少层纳米片,并转移至Si/SiO₂基底形成均匀薄膜。
| 货号 | 规格 | 数量 | 价格 |
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| Q-0375048 | 100mg |
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| Q-0375048 | 250mg |
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| Q-0375048 | 500mg |
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| Q-0375048 | 1g |
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| Q-0375048 | 5g |
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产品名称:机械剥离氧化硅/硅基底二硒化钨,CAS:7440-33-7
中文名: 机械剥离氧化硅/硅基底二硒化钨
英文名: Mechanically Exfoliated Tungsten Diselenide (WSe₂) on Si/SiO₂ Substrate
一、基本描述
机械剥离氧化硅/硅基底二硒化钨是一种二维过渡金属二硒化物(TMDs),通过机械剥离高纯WSe₂晶体获得单层或少层纳米片,并转移至Si/SiO₂基底形成均匀薄膜。WSe₂具有可调带隙、优良光学和电子性能,适用于光电子、光伏器件、传感器及柔性电子器件研究。Si/SiO₂基底提供光学透明性、平整界面和绝缘特性,为高精度器件制备提供基础。
二、物理化学性质、结构特性及应用
WSe₂纳米片呈黑色薄片状,单层厚度约0.7 nm,晶体为六方2H相。物理性质包括带隙约1.2–1.6 eV(单层为直接带隙)、高载流子迁移率、光致发光和光吸收特性。化学性质上对空气稳定,但高温或强氧化剂存在下易氧化。应用方面,机械剥离WSe₂可用于场效应晶体管、光电探测器、光伏器件、柔性电子器件及光催化材料。Si/SiO₂基底确保纳米片均匀分布和高平整度,有利于性能研究和器件集成。
三、合成路线
机械剥离WSe₂在Si/SiO₂基底上采用胶带或PDMS辅助剥离法。将高纯WSe₂晶体与基底接触,通过机械压力或微剥离获得单层或少层纳米片。剥离后通过退火或溶剂清洗去除辅助材料,即可得到高结晶度、低缺陷WSe₂片层,用于光电子器件和二维材料研究。
厂家:西安齐岳生物科技有限公司
用途:科研
温馨提醒:产品仅供科研,不能用于人体实验!
关于我们:
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| 参数信息 | |
|---|---|
| 外观状态: | 固体或粉末 |
| 质量指标: | 95%+ |
| 溶解条件: | 有机溶剂/水 |
| CAS号: | N/A |
| 分子量: | N/A |
| 储存条件: | -20℃避光保存 |
| 储存时间: | 1年 |
| 运输条件: | 室温2周 |
| 生产厂家: | 西安齐岳生物科技有限公司 |
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机械剥离氧化硅/硅基底二硫化钨是一种二维过渡金属二硫化物(TMDs),通过机械剥离法从高纯WS₂晶体获取单层或少层纳米片,并将其转移至Si/SiO₂基底。




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